直流磁控濺射： 直流磁控濺射是在直流二級濺射的基礎上，在靶材後麵安防磁鋼。可以用（yòng）來濺射沉積導電膜，而且沉積速度快；

但靶材若為絕緣體的話，將（jiāng）會迅速造成靶材表麵電荷積累，從而（ér）導致濺射無法進行（háng）。所以對於純金屬靶材的濺射，均（jun1）采用直（zhí）流磁控（kòng）濺射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控濺射， 常用來進行反應濺射，如金屬氧（yǎng）化物、碳化物等，將少許反應性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣（qì）體Ar2一起輸入到真空腔中，使反應氣體與靶材原子一起於基材上沉積。

對於一些不易找到的塊材料製（zhì）成靶材（cái）的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍後，薄膜成分（fèn）易偏（piān）離原靶材成分，也可通過反應沉（chén）積來獲得（dé）改善。