磁控濺射技術自誕生（shēng）以來，得到了較快的發展和較廣的應用，對其他鍍膜方法的發展產生了很大（dà）的影響。通過大量的（de）實踐（jiàn），国产日韩高清一区二区三区真空總結出這種技術的優缺點，如下文所（suǒ）示。

　　優點：
　　1.沉積速率高，襯底溫升低，對薄膜（mó）損傷小；
　　2.對於大多數材料，隻要能製造出靶材（cái），就可（kě）以實現濺射；
　　3.濺（jiàn）射得到的薄膜與基底結合（hé）良好；
　　4.濺射得（dé）到的薄膜純度較高，密（mì）度（dù）好，均勻性好；
　　5.結果表明，濺射工藝具有良好的重複性，在大（dà）麵積（jī）襯底上可獲得（dé）厚度均勻的薄膜；
　　6.可以準確控製塗層厚（hòu）度，通過改變參數來控製薄膜的粒（lì）徑；
　　7.不同的金屬、合（hé）金和氧化物可以混合，同時濺射在基體上；
　　8.易於（yú）工業化。


　　但是磁（cí）控濺射也存在一些問題
　　1.該技術所使用的環形磁場迫使次級（jí）電子圍繞環形（xíng）磁場（chǎng）跳躍（yuè）。因此，由環形磁場控（kòng）製的（de）區域是等離子體密度較高的區域。在（zài）該技（jì）術中，我們可以看到濺射氣體（tǐ）氬在這一區域發出強烈的淡藍色光芒，形成（chéng）光暈。光暈下的靶是（shì）離子轟擊比較（jiào）嚴重的部分，它會濺（jiàn）出一個圓形的溝槽。環形磁場是電子運動的軌道，環形輝（huī）光和溝（gōu）槽生（shēng）動地表現了這一點。靶（bǎ）材的濺射槽一旦穿透靶（bǎ）材，整個靶材就（jiù）會報廢（fèi），靶材利用（yòng）率不高，一般低於40%；
　　2.等（děng）離子體不穩定；
　　3.由於基本的磁通量均不能通過磁性靶，所以在靶麵附（fù）近不（bú）可能（néng）產生外加磁場。

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